型号 |
SPD02N60S5 |
厂商 |
Infineon Technologies |
描述 |
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252 |
SPD02N60S5 PDF |
|
代理商 |
SPD02N60S5
|
产品培训模块 |
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
|
产品目录绘图 |
Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252
|
标准包装 |
1 |
系列 |
CoolMOS™ |
FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物
|
FET 特点 |
标准
|
漏极至源极电压(Vdss) |
600V
|
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
1.8A
|
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
3 欧姆 @ 1.1A,10V
|
Id 时的 Vgs(th)(最大) |
5.5V @ 80µA
|
闸电荷(Qg) @ Vgs |
9.5nC @ 10V
|
输入电容 (Ciss) @ Vds |
240pF @ 25V
|
功率 - 最大 |
25W
|
安装类型 |
表面贴装
|
封装/外壳 |
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
|
供应商设备封装 |
PG-TO252-3
|
包装 |
标准包装 |
其它名称 |
SPD02N60S5INDKR
|